BBO单晶远近核心区完整性的比较观测  

A Comparative Determination of Perfection on Far and Near Core Zones in Single Crystals of BBO

作　　者：黄依森[1] 梁桂金[1] 赵庆兰[1] 

机构地区：[1]中国科学院福建物质结构研究所,福州350002

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期245-,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7) ,拟同时选用 ( 30 30 ) [( 30 30 ) ]、( 2 2 43)[( 2 2 43) ]和 ( 2 42 3)反射 ,分别观察是否存在呈三角锥衬度的包裹物、位错 (位错环 )和电畴 (界 )等。利用银靶共收集 1 0个形貌图 (其中 4个为两个立体对 )。在S(z)和S(b)样品中均没有观察到电畴 (界 )和大体平行于C面的位错。但都存在以下分布形态的“黑点状”应力场 ;不少黑点中心呈“白色” ;多数点状应力场分布较均匀 :少数沿a轴呈层状分布 ,这些层状分布的应力场形态在S(b)中更清晰 ,呈典型的包裹物衬度。其他的推测为大体上沿c轴分布的缀饰小丝状物。比较观测结果认定 ,它们的主要光散射源是那些应力场。化学腐蚀法观测的初步结果表明 ,S(z)在 ( 1 0 1 0 )晶面露头的位错密度为 380 0 /cm2 ;S(b)在( 1 0 1 0 )晶面上露头的位错密度为 2 5 0 /cm2 。比较观测结果表明 ,靠近较远离长晶中心的位错密度高出一个数量级左右。

关 键 词：X射线形貌 位错 化学腐蚀法 BBO晶体 

分 类 号：O72[理学—晶体学]