黄依森

作品数：23被引量：24H指数：3
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供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文主题：单晶晶体位错邻苯二甲酸氢钾KAP更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《硅酸盐学报》《物理学报》《物理》更多>>
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BBO单晶远近核心区完整性的比较观测
《人工晶体学报》2000年第S1期245-,共1页黄依森 梁桂金 赵庆兰 
X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7...
关键词：X射线形貌 位错 化学腐蚀法 BBO晶体 
有机分光晶体季戌四醇的缺陷研究及其与结构间关系被引量：4
《人工晶体学报》1997年第3期379-379,共1页赵庆兰 黄依森 曾金波 张秀珠 谢国英 林秀钦 林一德 吴德祥 
季戌四醇（ＰＥＴ）单晶结晶为四方晶系（Ｒ．Ｓｈｉｏｎｏ，ｅｔａｌ；ＡｃｔａＣｒｙｓｔ．，１１（１９５８）３８９），空间群Ｉ４－，单胞参数ａ＝ｂ＝０．６０８３ｎｍ，ｃ＝０．８７２６ｎｍ，每个单胞含二个分子Ｃ（ＣＨ２ＯＨ...
关键词：季戌四醇晶体 有机分光晶体 溶液晶体生长 缺陷 
邻苯二甲酸氢钾单晶中堆垛层错
《人工晶体学报》1993年第2期147-151,共5页赵庆兰 黄依森 
本文叙述有机物邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中堆垛层错的 X 射线衍射形貌观测和鉴定结果。层错平面为(1(?)2),正常情况下,它不以自然面显露在单晶外围,当晶体沿正负α轴向的生长速率相差悬殊时,着陆在慢速生长轴端的一对不太发育的(1(?)1)...
关键词：苯二甲酸氢钾 晶体 堆垛层错 衍射 
邻苯二甲酸氢钾单晶位错的 X 射线形貌衬度
《人工晶体学报》1993年第1期37-41,共5页赵庆兰 黄依森 
本文叙述具有较高 X 射线吸收能力的邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶位错的 X 射线形貌衬度。根据(010)晶片中(001)、(201)、(200)和(111)晶面的 X 射线形貌实验结果,提供了位错直接象、衍衬条纹(或中间象)、动力学象和位错双象等衬度、形态以...
关键词：苯二甲酸氢钾 晶体 位错象 衍射 
NYAB 晶体的缺陷与结构的关系
《人工晶体学报》1993年第1期47-52,共6页黄依森 赵庆兰 江爱栋 黄奕川 罗遵度 
国家自然科学基金
本文以四硼酸铝钇钕(NYAB)晶体中位错等缺陷的分布、形态,结合该晶体的微观结构特征,讨论了缺陷与结构之间的关系,并简要探讨了缺陷的成因。
关键词：激光晶体 晶体结构 四硼酸铝钇钕 
三硼酸锂(LBO)单晶中包裹物被引量：2
《人工晶体学报》1992年第2期156-160,共5页赵庆兰 黄依森 唐鼎元 
国家自然科学基金
本文叙述三硼酸锂(LBO)单晶中包裹物的 X 射线衍射形貌和光学观测结果,讨论了三种形态的包裹物即斜方双锥形、长条形和球形的可能成因,以及它们在 X 射线衍射形貌图中的应力场衬度和包裹诱发位错的严重程度及其结构影响因素。
关键词：晶体 位错 X射线 衍射 硼酸锂 
三硼酸锂(LBO)单晶的位错研究
《物理学报》1992年第2期272-275,T001,T002,共6页赵庆兰 黄依森 唐鼎元 
国家自然科学基金
本文叙述新型无机非线性单晶三硼酸锂(LBO)中位错的X射线衍射形貌观测和鉴定结果,探讨了位错形成的结构影响因素。
关键词：LBO 单晶 非线性 X射线衍射 位错 
自倍频激光晶体NYAB的缺陷研究被引量：1
《科学通报》1991年第23期1781-1782,共2页黄依森 赵庆兰 江爱栋 黄奕川 罗遵度 
国家自然科学基金
NYAB晶体[Nd_zY_(1-z)Al_3(BO_3)_4]是一种既有较高的非线性系数,很大的受激发射截面又有优良的物理化学性能的自倍频激光晶体,它很好地把激光工作物质和非线性光学材料合为一体,具有同时输出基频光和倍频光的特性,NYAB晶体除肉眼可观...
关键词：NYAB 晶体 缺陷 激光 
邻苯二甲酸氢铷晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响
《物理学报》1991年第12期1960-1965,共6页黄依森 赵庆兰 
本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。
关键词：RAP 晶体结构 晶生生长 缺陷 
KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量
《光学学报》1991年第9期821-824,共4页黄依森 赵庆兰 梁桂金 
本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10^(-4)nm。
关键词：KAP晶体 位错密度 点阵常数 
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