Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)半导体薄膜的研究  

Study on Semiconducting Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x) Film

作　　者：孙强[1] 刘景和[1] 李建立[1] 邢宏岩[1] 刘玲[1] 徐斌[1] 李国桢[2] 黄江平[2] 李丹[2] 黄宗坦[2] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院,长春130022 [2]昆明物理研究所,昆明650223

出　　处：《人工晶体学报》2000年第S1期144-,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：对于以Si为衬底的Y1Ba2 Cu3O7-x薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜的导电性由超导态转向半导体态。我们采用了直流溅射法在Si,SiO2 /Si和 /SiO2 /Si三种基片做衬底制备了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体薄膜。进行了温度电阻系数(TCR)测试、X射线衍射分析物相的测定、开展了霍尔系数和拉曼衍射 (Ramanshift)的微观分析实验 ,并进行了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多晶薄膜在室温下的黑体辐射的响应实验。通过我们的实验验证了这种薄膜的氧含量 ,与国外文献资料报道的实验结果相符合。发现了有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x;半导体多晶薄膜优于没有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多薄膜 ,并且适用于制造室温下工作的红外探测器的敏感元。

关 键 词：Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x) 半导体薄膜 温度电阻系数 敏感元 

分 类 号：O484[理学—固体物理]