CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究  

ORTHOGONAL ANALYSIS OF CVD SiC COATING PROCESSING

作　　者：徐志淮[1] 李贺军[1] 

机构地区：[1]西北工业大学C/C复合材料研究所

出　　处：《兵器材料科学与工程》2000年第5期35-40,共6页Ordnance Material Science and Engineering

基　　金：国防科学基金;航空科学基金

摘　　要：为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层 ,针对CVD工艺特点 ,采用正交设计方法对MTS +H2 体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究 ,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上 ,计算了 6种工艺因素对SiC -CVD过程影响的方差 ,对各自影响的显著性进行了分析 ,并讨论了所属的 2 1种工艺条件对沉积结果的影响。In order to prepare reliable SiC anti-oxidation coating,the processing of preparing SiC by MTS+H 2 system was systematically researched by means of orthogonal designing method.On the basis of examining the deposition-process,the variances of effect of six technologic parameters on SiC-CVD process are calculated,and the influence level of every parameter was analyzed.The effect of twenty-one technologic parameters on deposition are also discussed.

关 键 词：碳/碳复合材料 碳化硅涂层 CVD 正交设计 

分 类 号：TB332[一般工业技术—材料科学与工程] V257[航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]