一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计  

作　　者：梁焰[1] 吴玉广[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071

出　　处：《科技资讯》2007年第30期68-69,共2页Science & Technology Information

摘　　要：在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用。本文设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC0.25μmCMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。

关 键 词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 

分 类 号：TM76[电气工程—电力系统及自动化]