带隙参考电压源

作品数：5被引量：21H指数：2
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一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究被引量：2
《电子设计工程》2011年第8期164-166,共3页樊艳 王丽侠 
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μmN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了yM和y，的线性叠加，获得近似零温度系数...
关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 
一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计
《科技资讯》2007年第30期68-69,共2页梁焰 吴玉广 
在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、...
关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 
一种实用的带隙参考电压源曲率校正方法
《机电产品开发与创新》2007年第3期124-126,共3页柏晓鹤 陆铁军 胡贵才 
在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构,这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势,使电路在工作区域可...
关键词：带隙参考电压源 温度系数 曲率校正 
一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计被引量：17
《电子器件》2004年第1期79-82,共4页陈碧 罗岚 周帅林 
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10^(-6)/℃、。在3.3 V电源...
关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 
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