陈碧

作品数：3被引量：25H指数：2
导出分析报告
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
发文主题：低温漂电流源CMOS带隙基准电压源温度补偿电源抑制比更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种基于开关电容调谐的宽带压控振荡器设计被引量：2
《电子工程师》2004年第3期23-25,共3页周帅林 罗岚 陈碧 吴煊 
设计了一种频率可调范围约 6 0 0MHz的全集成CMOSLC宽带压控振荡器。该压控振荡器工作电压为 3.3V ,基于Chartered 0 .2 5 μm标准CMOS工艺设计 ,利用开关电容调谐的方法扩大其调谐范围。测试结果表明 :该压控振荡器工作在中心频率为 1....
关键词：压控振荡器 CMOS 开关电容调谐 相位噪声 
基于电阻补偿技术的低温漂电流源的设计被引量：6
《电子工程师》2004年第3期10-12,15,共4页陈碧 罗岚 张萌 
介绍了一种采用补偿电阻的方法获得低温漂电流源的设计思想。基于Chartered0 .2 5 μm工艺电阻模型的分析 ,提出采用两种电阻相互补偿的方法 ,获得具有低温度系数的电阻值 ,从而优化了输出电流的温度特性。仿真结果表明 ,输出电流的温...
关键词：电阻补偿 电流源 温度系数 参考电流 
一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计被引量：17
《电子器件》2004年第1期79-82,共4页陈碧 罗岚 周帅林 
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10^(-6)/℃、。在3.3 V电源...
关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部