PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响  

Influence of electroluminescence and recombination with ETL thickness in PTPD/Alq_3 device

作　　者：聂海[1,2] 陈祝[1,2] 吴丽娟[1,2] 

机构地区：[1]成都信息工程学院通信工程系,四川成都610225 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《光电子．激光》2009年第9期1154-1157,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：四川省重点科技攻关资助项目(03GG009-002);成都信息工程学院科研启动资助项目(KYTZ200715)

摘　　要：以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复合区域的影响。基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。ITO/PTPD/Alq3/Mg:Ag heterostructure electroluminescent diodes have been fabricated using a novel poly-TPD for hole transport material.Their regularity of electroluminescent properties with the variety of Alq3 ETL thickness has been investigated.The influence of electric field on carrier recombination area has been discussed.Based on the theory of energy band and breakdown,it is considered to be a comprehensive result of redistribution of electric field on heterostructure device and the carrier transport and...

关 键 词：PTPD 异质结器件 载流子输运 复合区域 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]