云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 异质结器件

异质结器件: 作品数：35被引量：53H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：郝跃马晓华郑雪峰毛维罗谦更多>>; 相关机构：电子科技大学西安电子科技大学中国科学院合肥工业大学更多>>; 相关期刊：《微电子学与计算机》《Science Bulletin》《发光学报》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划模拟集成电路重点实验室基金北京市科技新星计划更多>>

基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真: 《发光学报》2024年第11期1883-1888,共6页冯云松周长祺王思雨路远金伟商袁昕李亚繁陈友才; 脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金(SKL2022ZR05);国防科技大学科研计划项目(ZK22-26);安徽省自然科学基金(1908085MA13)。; 利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面...; 关键词：Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结 COMSOL VO_(2)相变能级结构仿真

BN-GaN异质结器件中子探测性能研究: 《科技视界》2024年第25期87-90,共4页刘吉珍王旭杨毓枢王玮; 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,因其独特的物理特性,如宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等,在光电器件及高能物理探测领域展现出巨大潜力。而氮化硼(BN)材料,以其优异的载流子迁移率和光吸收能力,成为与GaN结合...; 关键词：探测性能 BN-GaN异质结器件中子探测

Fe_(3)GeTe_(2)/h-BN/石墨烯二维异质结器件中的高效率自旋注入被引量：1: 《物理学报》2021年第12期426-431,共6页杨维韩江朝曹元林晓阳赵巍胜; 国家自然科学基金(批准号:51602013,12004021);中国科学技术协会青年人才托举工程(批准号:2018QNRC001);高等学校学科创新引智计划(批准号:B16001);中央高校基本科研业务费;北京大数据科学与脑机智能高精尖创新中心资助的课题。; 最近,二维铁磁材料的发现加速了自旋电子学在超低功耗电子器件方面的应用.其中,Fe_(3)GeTe_(2)通过实验调控,比如界面层间耦合和离子液体调控,可以使其居里温度达到室温,具有广泛的应用前景.本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数方法,...; 关键词：二维铁磁自旋隧穿注入自旋过滤效应第一性原理计算

漫谈半导体材料及异质结器件被引量：4: 《物理》2018年第11期695-703,共9页王海龙潘东赵建华; 半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色,相关产品几乎渗透了人类生活的各个角落。文章简要回顾了半导体的研究历史,介绍了半导体材料与相关应用,阐述了半导体异质结器件的工作原理,并展示了半导体自旋电子学及低维窄禁带半导...; 关键词：半导体异质结二极管晶体管半导体自旋电子学低维纳米结构

Robust photoluminescence energy of MoS_2/graphene heterostructure against electron irradiation被引量：2: 《Science China Materials》2018年第10期1351-1359,共9页Shengzhe Hong Deyi Fu Jiwei Hou Duanliang Zhou Bolun Wang Yufei Sun Peng Liu Kai Liu; supported by the National Natural Science Foundation of China (11774191, 51727805, and 51672152);the Open Research Fund Program of the State Key Laboratory of LowDimensional Quantum Physics (KF201603);the Thousand Youth Talents Program of China; Two-dimensional （2D） materials have attracted growing attention since the discovery of graphene [1]. Transition metal dichalcogenide （TMD） semiconductors, such as MoS2 and WS2, became popular materials in recent y...; 关键词：异质结器件电子束辐照二硫化钼光能量石墨鲁棒特性 MOS2 二维材料

SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究被引量：1: 《微电子学》2017年第3期433-436,共4页陈繁马婷谭开洲王兰钟黎; 模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501); 对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形...; 关键词：锗硅异质结器件超结结构分裂浮空埋层击穿电压掺杂分布

应变调制型多铁异质结器件的HSpice电路建模: 《微纳电子技术》2017年第3期145-149,193,共6页徐立蔡理崔焕卿王森杨晓阔冯朝文; 国家自然科学基金资助项目(61302022;61401498); 由于具有天然的非易失性和极低的动态功耗,应变调制型多铁异质结在后摩尔时代新型电子技术中具有广阔的应用前景。通过分析反映磁致伸缩层磁化强度动态特性的Landau-LifshitzGilbert(LLG)方程,并参考电容的伏安特性,建立了该器件的一种H...; 关键词：应变调制多铁异质结 Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程 HSPICE 转换特性磁化强度

高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究: 《微电子学》2017年第1期118-121,共4页陈繁谭开洲陈振中陈谱望张静崔伟; 模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501); 对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe ...; 关键词：GE组分分布锗硅/锗硅碳击穿电压异质结双极晶体管掺杂特性超结结构

射频磁控溅射法制备SnS_2薄膜结构和光学特性的研究被引量：4: 《发光学报》2016年第12期1521-1531,共11页李学留刘丹丹梁齐史成武于永强; 国家自然科学基金(51272061)资助项目; 采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(E...; 关键词：SnS2薄膜射频磁控溅射光学特性异质结器件

PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性被引量：5: 《发光学报》2015年第11期1311-1319,共9页刘磊余亮李学留汪壮兵梁齐; 国家自然科学基金(51272061)资助项目; 利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(...; 关键词：SnS薄膜脉冲激光沉积 CU掺杂异质结器件

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