红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器  

Red GaInP/AlGaInP square microcavity lasers

作　　者：李敬[1] 黄永箴[1] 肖金龙[1] 杜云[1] 樊中朝[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室

出　　处：《光电子．激光》2009年第10期1278-1281,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60777028;60723002;60838003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB302804)

摘　　要：利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,所对应的是由输出波导和正方形腔组成的F-P腔的F-P模式。采用二维时域有限差分法(FDTD),模拟研究了侧壁粗糙对正方形腔模式品质因子的影响。Red GaInP/AlGaInP microsquare lasers with output waveguide are fabricated by standard photolithography and inductively coupled plasma(ICP) etching techniques.The square microcavity lasers are operated at low temperature.For a 10-μm-side square microlaser with a 30-μm-long and 1.5-μm-wide output waveguide,the mode interval of 1.3 nm is observed in the amplified spontaneous emission spectra at room temperature,which corresponds to the longitudinal mode interval of the Fabry-Pérot(F-P) cavity that consists of ...

关 键 词：光学微腔 半导体激光器 GAINP/ALGAINP 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]