云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAINP/ALGAINP

GAINP/ALGAINP: 作品数：14被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：马骁宇王绍民刘素平高峰陈良惠更多>>; 相关机构：中国科学院浙江大学中国科学院大学西安理工大学更多>>; 相关期刊：《光电子．激光》《激光与光电子学进展》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金上海市自然科学基金更多>>

Zn杂质诱导GaInP/AlGaInP红光半导体激光器量子阱混杂的研究: 《光子学报》2024年第1期1-12,共12页何天将刘素平李伟林楠熊聪马骁宇; 国家自然科学基金(No.62174154)。; 在GaAs基GaInP/AlGaInP单量子阱结构外延片上分别使用磁控溅射设备生长ZnO薄膜和等离子增强化学气相沉积设备生长SiO2薄膜,以ZnO介质层作为Zn杂质诱导源,采用固态扩Zn的方式对激光器进行选择性区域诱导以制备非吸收窗口来提高器件的腔...; 关键词：半导体激光器量子阱混杂复合介质层蓝移非吸收窗口

基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）被引量：6: 《发光学报》2018年第8期1095-1099,共5页田伟男熊聪王鑫刘素平马骁宇; Supported by National Key Research and Development Program of China(2017YFB0405303)~~; 在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜。在950℃的情况下进行不同...; 关键词：蓝移无杂质空位扩散量子阱混杂扩散

基于SiO_2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）被引量：2: 《激光与光电子学进展》2015年第2期189-193,共5页林涛张浩卿孙航王勇刚林楠马骁宇; 国家自然科学基金(61106043);中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金(SKLST201304); 在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在...; 关键词：激光器蓝移无杂质空位扩散量子阱混杂

红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器: 《光电子．激光》2009年第10期1278-1281,共4页李敬黄永箴肖金龙杜云樊中朝; 国家自然科学基金资助项目(60777028;60723002;60838003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB302804); 利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μm的正方形微腔激光器,室温测量得到的纵模模式间距为1.3 nm,...; 关键词：光学微腔半导体激光器 GAINP/ALGAINP 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀

650 nm GaInP/AlGaInP laser diodes with low threshold and compressively strained MQW active layer: 《Optoelectronics Letters》2006年第4期263-265,共3页XIA Wei LI Shu-qiang WANG Ling MA De-ying ZHANG Xin WANG Fu-xun JI Gang LIU Ding-wen REN Zhong-xiang XU Xian-gang MEI Liang-mo; 650 nm AlGaInP/GaInP laser diodes with compressively strained MQW active layer have been successfully fabricated by means of single epitaxy growth.The threshold current is 6.4 mA,at 40 mA CW operation,the fundamental ...; 关键词：GalnP/AIGalnP 激光二极管功率输出饱和电流

MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器: 《人工晶体学报》2006年第6期1247-1250,共4页夏伟王翎李树强张新马德营任忠祥徐现刚; 通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的...; 关键词：MOCVD 低阈值电流 650nm激光器

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2213-2217,共5页徐云郭良曹青宋国峰甘巧强杨国华李玉璋陈良惠; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA313050)~~; 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95...; 关键词：半导体激光器 AlGaInP可见光激光器应变量子阱

谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用被引量：2: 《物理学报》2003年第10期2534-2540,共7页邵军; 上海市自然科学基金 (批准号 :0 2ZA14 114 );国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 76 0 0 6 );国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB30 95)资助的课题~~; 在简要讨论谱导数法物理机理的基础上 ,给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs InP和GaInP AlGaInP多量子阱中的成功应用实例 .比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响 ,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别 ...; 关键词：谱导数法物理机理光谱研究半导体光吸收谱光反射谱多量子阱激子跃迁 GAINAS/INP GAINP/ALGAINP

脊形波导激光器中GaInP/AlGaInP选择蚀刻性的研究被引量：1: 《光电子．激光》2001年第9期899-901,共3页高峰吴麟章; 本文制做了 6 70 nm Ga In P/ Al Ga In P应变层单量子阱脊形波导激光器。为了进一步优化工艺 ,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了 30～ 5 0 nm的 Ga In P蚀刻阻挡层。用此种材料加工而成的腔长12 0 0 μm、宽 6 4μm的氧化条激光...; 关键词：GAINP/ALGAINP 蚀刻阻挡层选择蚀刻性脊形波导激光器

GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究被引量：3: 《中国激光》2001年第7期583-586,共4页周国泉吕章德王绍民; 国家自然科学基金 (编号 :199740 38)资助项目; 用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。根据非傍轴光束传输的矢量矩理论 ,对该激光器垂直于结平面方向上的光束质量因子M2 ⊥ 进行了理论计算 ,结果表明M2 ⊥ 小于 1,和实验结果相符合。; 关键词：应变多量子阱激光器光束质量转移矩阵波导模式 GAINP/ALGAINP

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