低阈值电流

作品数:7被引量:1H指数:1
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双波长量子点激光器
《激光与光电子学进展》2008年第10期12-12,共1页
加拿大的研究人员首次制造出了能同时发射1543nm和1571nm双波长激光的InP基量子点自锁模激光器。传统锁模方法需要分成双区器件,一区产生光增益,另一区作为饱和吸收器。而该新型激光器是单区自锁模器件。量子点材料生长技术的发展使...
关键词:量子点激光器 双波长激光 自锁模激光器 生长技术 高输出功率 低阈值电流 量子点材料 高峰值功率 
MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器
《人工晶体学报》2006年第6期1247-1250,共4页夏伟 王翎 李树强 张新 马德营 任忠祥 徐现刚 
通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的...
关键词:MOCVD 低阈值电流 650nm激光器 
半导体激光器
《中国光学》2004年第6期15-17,共3页
TN248.4 2004064104 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁(中科院半导体所光电子器...
关键词:大功率半导体激光器 垂直腔面发射激光器 有源区 微区光致发光谱 光电子器件 激光二极管线列阵 铝组分 国家工程中心 低阈值电流 收缩应力 
低阈值电流、高量子效率脊形波导激光器
《半导体技术》2001年第6期40-41,45,共3页高峰 吴麟章 
研制了低阈值电流、高量子效率670nm压缩应变单量子阱GaInP/AlGaInP脊形波导激光器。测量解理成的激光器条,腔长为300μm时,阈值电流为12.8mA,双面外部量子效率之和达到94.6%。
关键词:低阈值电流 半导体量子阱激光器 量子效率 脊形波导激光器 
量子阱半导体激光器发展动态被引量:1
《半导体杂志》1995年第3期23-28,共6页孙再吉 
综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状,着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流。
关键词:量子阱激光器 低阈值电流 大功率 半导体激光器 
低阈值稳定基横模1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器
《吉林大学自然科学学报》1989年第4期59-62,共4页肖建伟 衣茂斌 薄报学 苗忠礼 马玉珍 高鼎三 
采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3~5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。
关键词:半导体激光器 低阈值电流 基横模 
极低阈值电流的1.3μm GaInAsP/InP DFB PPIBH 激光器
《有线通信技术》1989年第4期64-65,共2页陈庆祥 
关键词:半导体激光器 阈值电流 激光器 
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