量子阱半导体激光器发展动态  

作　　者：孙再吉[1] 

机构地区：[1]电子部第55研究所

出　　处：《半导体杂志》1995年第3期23-28,共6页

摘　　要：综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流。

关 键 词：量子阱激光器 低阈值电流 大功率 半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]