GAINAS/INP

作品数：13被引量：10H指数：2
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相关机构：中国科学院重庆光电技术研究所集成光电子学国家重点联合实验室复旦大学更多>>
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谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用被引量：2
《物理学报》2003年第10期2534-2540,共7页邵军 
上海市自然科学基金 (批准号 :0 2ZA14 114 );国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 76 0 0 6 );国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB30 95)资助的课题~~
在简要讨论谱导数法物理机理的基础上 ,给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs InP和GaInP AlGaInP多量子阱中的成功应用实例 .比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响 ,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别 ...
关键词：谱导数法 物理机理 光谱研究 半导体 光吸收谱 光反射谱 多量子阱 激子跃迁 GAINAS/INP GAINP/ALGAINP 
MOCVD生长的AlInAs／GaInAs／InP HEMT的可靠性评价
《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期49-49,共1页
关键词：MOCVD生长 可靠性评价 掺杂 AlInAs/GaInAs/InPHEMT 阈值电压 偏移现象 
1.3μm高速PIN光电二极管被引量：7
《半导体光电》2001年第4期271-274,共4页陶启林 
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的...
关键词：光电二极管 微波封装 GAINAS/INP 
CATV用高线性GalnAs／InP PIN光电二极管
《光纤通信技术》2000年第7期6-7,共2页徐之韬 
关键词：光电二极管 有线电视 GAINAS/INP 
10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究
《光通信研究》1998年第5期37-41,共5页徐之韬 王任凡 陈浩瀚 
邮电部重点科研项目
本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ...
关键词：光电二极管 平面PIN 光通信 光接收机 
Zn掺杂GaInAs／InP结构中极强的外延层内部扩散
《发光快报》1995年第5期42-43,共2页邸建华 
关键词：磷化铟 GAINAS 外延层扩散 
AlInAs／GaInAs／InP异质结的热稳定性
《电子材料快报》1995年第9期11-11,共1页青春 
关键词：AlInAs GAINAS INP 异质结 热稳定性 
InP系量子阱结构的MOVPE生长被引量：1
《稀有金属》1994年第4期305-312,314,共9页段树坤 
评述了ＭｏＶＰＥ法生长的ＩｎＰ系量子阱结构材料，重点讨论了ＬＰ一ＭＯＶＰＥ法生长ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构时的组份、阱宽、界面控制及生长中断对材料性能的影响。
关键词：GAINAS/INP 量子阱结构 LP-MOVPE 
Ga_（0．4）In_（0．6）As／InP应变量子阱的光致发光谱与温度的关系
《半导体杂志》1994年第1期13-16,共4页秦福文 杨树人 刘宝林 陈佰军 刘式墉 高瑛 刘学彦 赵家龙 
在不同的温度下，测试了不同阱宽的Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ａｓ／ＩｎＰ压缩应变量子阱结构的光致发光谱．结果表明，光致发光滑的峰值位置随温度的升高向长波方向明显移动．计算表明，光致发光谱的峰值位置与温度的关系在温度大于３０Ｋ...
关键词：量子阱 变温 光致发光 GAINAS/INP 
长波长GaInAs／InP PIN光电探测器的纯化保护
《上海半导体》1990年第3期18-19,共2页程宗权 王惠民 
关键词：光电探测器 纯化保护 GAINAS/INP 
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