InP系量子阱结构的MOVPE生长  

作　　者：段树坤[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《稀有金属》1994年第4期305-312,314,共9页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：评述了ＭｏＶＰＥ法生长的ＩｎＰ系量子阱结构材料，重点讨论了ＬＰ一ＭＯＶＰＥ法生长ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构时的组份、阱宽、界面控制及生长中断对材料性能的影响。

关 键 词：GAINAS/INP 量子阱结构 LP-MOVPE 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]