MOCVD生长的AlInAs／GaInAs／InP HEMT的可靠性评价  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2001年第6期49-49,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：MOCVD生长 可靠性评价 掺杂 AlInAs/GaInAs/InPHEMT 阈值电压 偏移现象 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] TN305.3