陶启林

作品数：1被引量：7H指数：1
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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：GAINAS/INPPIN光电二极管光电二极管微波封装更多>>
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1.3μm高速PIN光电二极管被引量：7
《半导体光电》2001年第4期271-274,共4页陶启林 
综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的...
关键词：光电二极管 微波封装 GAINAS/INP 
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