MOCVD生长Al_(0.48)Ga_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性  

The structral and optical properties of Al_(0.48)Ga_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N MQWs gown by MOCVD

作　　者：王保柱[1,2] 安胜彪[1] 文环明[1] 武瑞红[1] 王晓君[1] 王晓亮[2] 

机构地区：[1]河北科技大学信息科学与技术学院,河北石家庄050018 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《光电子．激光》2009年第11期1454-1457,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576046);河北省教育厅基金资助项目(Z2009316);河北科技大学基金资助项目(XL200830)

摘　　要：采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱(MQWs)结构。通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征。在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4nm,Al组分分别为0.48和0.54。在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力。CL测试表明,AlGaNMQWs结构的发光波长为295nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光。Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N multiple quantum wells(MQWs)structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).Double crystal X-ray diffraction(DCXRD),atomic-force microscopy(AFM)and cathodoluminescence(CL)are used to characterize the structural and optical properties of MQWs,respectively.DCXRD shows that the multiple satellite peaks to 2nd order.The DCXRD simulation shows that the well and barrier thickness of MQWs are 2.1 nm and 9.4 nm,the Al co...

关 键 词：AlGaN 多量子阱(MQWs) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]