基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器  

作　　者：郑婉华[1] 任刚[1] 蔡向华[1] 马小涛[1] 杜晓宇[1] 王科[1] 邢名欣[1] 陈良惠[1] 

机构地区：[1]中科院半导体研究所纳米光电子实验室,北京100083

出　　处：《红外与激光工程》2006年第z5期117-,共1页Infrared and Laser Engineering

摘　　要：描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阂值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致。

关 键 词：二维光子晶体 INGAASP/INP 半导体材料 

分 类 号：TN21[电子电信—物理电子学] TN24