In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件  

In0.53Ga0.47As/InP infrared materials and line array dsetectors

作　　者：缪国庆[1] 张铁民[1] 金亿鑫[1] 蒋红[1] 李志明[1] 宋航[1] 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期20-22,共3页Infrared and Laser Engineering

基　　金：国家自然科学基金重点项目(50632060)

摘　　要：采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为O.90～1.70 μm,量子效率为73%,在零偏压下,暗电流为1.62×10-8A,动态零压电阻为2.72×105Ω.单元探测器波段探测率为1.71×1012cmHz1/2W-1.

关 键 词：铟镓砷 金属有机化合物气相沉积 探测器 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]