非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究  

Preparation of vanadium oxide thin films with high TCR for uncooled IR detectors

作　　者：胡明[1] 梁继然[1] 吴淼[1] 吕宇强[1] 韩雷[1] 刘志刚[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津,300072 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 天津大学电子信息工程学院,天津,300072

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期54-58,共5页Infrared and Laser Engineering

基　　金：天津市自然科学基金资助项目(043600811)

摘　　要：主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及TCR的影响,研究了硅衬底上氧化钒薄膜电阻温度系数与电阻之间的关系.

关 键 词：氧化钒 电阻温度系数 红外探测器 

分 类 号：O484[理学—固体物理]