128×128元氮化镓紫外焦平面读出电路的设计与封装研究  

128μ128 GaN UV focal plane array readout circuit study of design and encapsulation

作　　者：袁永刚[1] 刘大福[1] 邱惠国[1] 李向阳[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期93-96,共4页Infrared and Laser Engineering

摘　　要：随着GaN基紫外材料的成熟,GaN基紫外探测器迅速发展,半导体紫外探测技术成为继红外和激光探测技术后发展起来的又一新型光电探测技术.GaN基紫外探测器以其固有的量子效率高、可靠性高、使用方便等特点,将在紫外探测、预警、天际及地空通信和紫外弱光成像系统等领域发挥重要作用.读出电路作为紫外焦平面信号调理与输出部分对紫外焦平面组件性能起至关重要的作用.封装是通用传感器组件应用前的一道重要工序,合理的封装结构对组件及系统是必要的.描述了128×128元紫外焦平面读出电路与封装的设计过程,用Cadence与Hspice软件仿真分析了3×3元读出电路的工作点以及封装要考虑的热耗散问题,最后给出了读出电路的工作点与合理封装形式的建议.文中提到的128×128元50 μm×50μm紫外读出电路已设计完成并采用Charter线宽为0.35 μm的2P4MCMOS工艺流片.

关 键 词：紫外 氮化镓 焦平面 读出电路 

分 类 号：TN41[电子电信—微电子学与固体电子学]