等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术  

FTIR diagnostics for plasma etching processes

作　　者：王巍[1] 吴志刚[1] 兰中文[1] 姬洪[1] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 电子科技大学电子工程学院,四川,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期124-126,共3页Infrared and Laser Engineering

基　　金：重庆邮电大学博士启动基金资助项目(A2006-01)

摘　　要：采用傅里叶红外光谱仪(FHR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.

关 键 词：等离子体刻蚀 FTIR MCT探测器 检测 

分 类 号：TP211+.6[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]