HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制  

Dark current characteristics of HgCdTe photovoltaic detectors with annular aperture P-n junction

作　　者：李欣[1] 王淑芬[1] 毛京湘[1] 赵晋云[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南,昆明,650223 昆明物理研究所,云南,昆明,650223 昆明物理研究所,云南,昆明,650223 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期189-192,共4页Infrared and Laser Engineering

摘　　要：P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.

关 键 词：暗电流 碲镉汞 光伏探测器 实验分析 模拟计算 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]