高压隔离光电耦合器的设计和制作  被引量:3

Design and Fabrication of High Voltage Isolating Photocoupler

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作  者:李尚玲[1] 陈林[1] 

机构地区:[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出  处:《半导体光电》2002年第5期315-316,319,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘  要:分析了影响绝缘材料击穿特性的几个主要因素 ,在此基础上设计并制作了高压隔离光电耦合器 ,实验结果表明该器件具有良好的隔离特性和高的可靠性能 ,隔离电压最大值达 10 0 0 0V。Main factors affecting the breakdown properties of insutalors are analysed, on the basis of which a high voltage isolating photocoupler is designed and fabricated. The experiment results show that the device exhibits excellent isolation and high realiability with the peak isolating voltage up to 10 000 V.

关 键 词:光电耦合器 高压隔离 绝缘材料 封装 

分 类 号:TN305.94[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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