ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制  

Stoichiometry Control of CuInS2 Thin Films Growning with Ion Layer Gas Reaction(ILGAR)Method

作　　者：邱继军[1] 靳正国[1] 钱进文[1] 

机构地区：[1]天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期686-690,共5页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：天津市自然科学基金资助项目(F103004)

摘　　要：采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.

关 键 词：CIS薄膜 ILGAR法制备 化学计量 

分 类 号：O614.121[理学—无机化学] O614.37+2[理学—化学]