钱进文

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：天津大学更多>>
发文主题：化学计量气相反应法CIS薄膜INCL3C2H5OH更多>>
发文领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《稀有金属材料与工程》《硅酸盐学报》《无机化学学报》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金更多>>
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离子层气相反应法制备CuInS_2半导体薄膜(英文)被引量：1
《硅酸盐学报》2006年第8期937-940,945,共5页钱进文 靳正国 邱继军 刘志锋 
天津市重点基础研究(No.033802311)资助项目
以CH3CH2OH为溶剂,CuCl和InCl3为反应物,H2S为硫源,用离子层气相反应法制备了CuInS2半导体薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体...
关键词：铜铟硫薄膜 浸渍离子层气相反应 化学计量 
离子层气相反应法(ILGAR)制备CuInS_2薄膜的研究被引量：3
《无机化学学报》2005年第3期399-404,共6页邱继军 靳正国 钱进文 石勇 武卫兵 
天津市重点基础研究项目(No.F103004)资助
CuInS2 thin films have been prepared by ion layer gas reaction (ILGAR) using C2H5OH as solvent, CuC1and InCl3 as reagents and H2S gas as sulfuration source. The effects of cationic concentrations and numbers of cycle ...
关键词：NS2 C2H5OH XPS INCL3 离子 薄膜 UV-VIS XRD SEM 
ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制被引量：2
《稀有金属材料与工程》2005年第z2期686-690,共5页邱继军 靳正国 钱进文 
天津市自然科学基金资助项目(F103004)
采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见...
关键词：CIS薄膜 ILGAR法制备 化学计量 
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