Sm2O3对放电等离子烧结AlN陶瓷致密化和导热性能的影响  

Effect of Sm2O3 on the Densification and Thermal Conductivity of Spark Plasma Sintered AlN Ceramics

作　　者：李美娟[1] 张联盟[1] 李淘[1] 沈强[1] 余明清[1] 

机构地区：[1]武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 中非人工晶体研究院,北京,100083

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期819-822,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金重点项目(50232020)资助

摘　　要：针对AlN陶瓷难以烧结致密的特点,采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering,SPS)技术,利用SPS过程中脉冲电流产生局部高温来加强扩散作用,促进颗粒间颈部接触点形成,并通过添加适量烧结助剂Sm2O3,在短时间内实现了AlN陶瓷的烧结致密化.重点研究了烧结助剂Sm2O3的加入量、烧结温度等工艺参数对AlN陶瓷致密化钩毯统潭鹊挠跋?研究发现:Sm2O3的加入使AlN致密化过程提前,烧结温度降低;SPS制备的AlN陶瓷晶粒尺寸均匀一致,晶粒发育良好:烧结过程中Sm2O3与AlN粉体表面的Al2O3膜层在晶界处形成Sm-Al-O化合物,该反应有效促进了AlN颗粒间的相互扩散和烧结体的致密,对于AlN晶格完整性的保留非常有利,使AlN烧结体获得了良好的导热性能,其热导率达到150W/(m·K).

关 键 词：放电等离子烧结 ALN陶瓷 SM2O3 热导率 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程]