应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化  

Analysis and Optimization of Power Si1-xGex/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Local Area Network Applications

作　　者：薛春来[1] 时文华[1] 成步文[1] 姚飞[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期435-438,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)、国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目

摘　　要：高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.

关 键 词：SIGE HBT 高频大功率 最大单边功率增益 功率增加效率 

分 类 号：TN323+4[电子电信—物理电子学]