云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 时文华

共条记录，以下是1-9

全选清除导出

视图：

排序：

DCXRD分析Ge/Si（001）多层纳米岛材料: 《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页时文华薛春来罗丽萍王启明; 基金项目：国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000036603）及国家自然科学基金（批准号：60336010、90104003、90401001）; 结合透射电镜与原子力显微镜实验，用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料，衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰，它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区。利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比，估算出浸润层区与岛区的Ge组...; 关键词：DCXRD分析材料纳米 X射线衍射方法原子力显微镜透射电镜浸润层

A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications: 《Journal of Semiconductors》2007年第4期496-499,共4页薛春来时文华姚飞成步文王红杰余金中王启明; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家基础研究重大项目(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目~~; A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device （with an emitter area of about 880μm^2） was fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum DC current gain β is 214. The BVCEO is up to 10V,a...; 关键词：SiGe HBT power double-mesa technology multi-finger

DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure: 《Journal of Semiconductors》2007年第2期145-148,共4页时文华薛春来罗丽萍王启明; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010,90104003,90401001)资助项目~~; A Ge/Si（001） island multilayer structure is investigated by double crystal X-ray diffraction, transmission electron microscopy,and atomic force microscopy. We fit the satellite peaks in the rocking curve by two Lore...; 关键词：SI Ge nano-dot ISLAND X-RAY

应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期435-438,共4页薛春来时文华成步文姚飞王启明; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010)、国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目; 高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟...; 关键词：SIGE HBT 高频大功率最大单边功率增益功率增加效率

偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性被引量：2: 《光谱学与光谱分析》2006年第7期1185-1189,共5页赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华; 国家自然科学基金(60336010;60390074;90401001);中国科学院专项计划项目(1731000500010)资助; 介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。; 关键词：偏振差分反射光谱半导体平面内光学各向异性电光改性

Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期136-139,共4页时文华罗丽萍赵雷左玉华王启明; 国家自然科学重点基金资助项目(批准号:60336010,90401001); 通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能....; 关键词：SI Ge 纳米岛退火离子注入

硅基近红外探测器研究进展被引量：2: 《半导体光电》2005年第6期471-475,共5页时文华王启明; 国家自然科学基金资助项目(60336010);国家重大基础研究规划项目(TG200036603);国家自然科学基金重大基础研究计划项目(90104003); 介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展,分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构,并对其发展与应用进行了展望。; 关键词：硅基探测器近红外键合锗硅

Fabrication of SiGe/Si Multi-Quantum Wells Resonant-Cavity-Enhanced Detector被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1576-1579,共4页李传波毛荣伟左玉华成步文时文华赵雷罗丽萍余金中王启明; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家自然科学基金(批准号:90104003,60336010)资助项目~~; A SiGe/Si multi-quantum wells resonant-cavity-enhanced(RCE) detector with high reflectivity bottom mirror is fabricated by a new method.The bottom mirror is deposited in the hole,which is etched from the backside of t...; 关键词：RCE DETECTOR SOI SIGE

Ge/Si量子点的生长研究进展被引量：3: 《半导体光电》2004年第4期247-252,共6页时文华李传波王启明; 国家自然科学重点基金资助项目(60336010);国家重大基础研究规划 (973 )资助项目 (TG2 0 0 0 0 3 660 3 );国家自然科学基金重大基础研究计划资助项目 (90 1 0 40 0 3 ); 　要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸。阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个...; 关键词：锗硅量子点图形衬底邻晶面杂质

全选清除导出

共1页<1>

时文华