Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性  

Rapid Thermal Annealing Characteristics of the Ge/Si(001) Nano-Island Multilayer

作　　者：时文华[1] 罗丽萍[1] 赵雷[1] 左玉华[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期136-139,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目(批准号:60336010,90401001)

摘　　要：通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.

关 键 词：SI Ge 纳米岛 退火 离子注入 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]