DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料  

DCXRD Investigation of a Ge/Si(001)Island Multilayer Structure

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作  者:时文华[1] 薛春来[1] 罗丽萍[1] 王启明[1] 

机构地区:[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出  处:《中国科技信息》2008年第1期285-285,共1页China Science and Technology Information

基  金:基金项目:国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)及国家自然科学基金(批准号:60336010、90104003、90401001)

摘  要:结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料,衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区。利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比,估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0.51和0.67,这是一种简单估算 Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法。

关 键 词:DCXRD分析 材料 纳米 X射线衍射方法 原子力显微镜 透射电镜 浸润层 

分 类 号:TN16[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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