Ge/Si量子点的生长研究进展  

Research Progress on the Growth of Ge/Si Quantum Dot

作　　者：时文华[1] 李传波[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》2004年第4期247-252,共6页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目(60336010);国家重大基础研究规划 (973 )资助项目 (TG2 0 0 0 0 3 660 3 );国家自然科学基金重大基础研究计划资助项目 (90 1 0 40 0 3 )

摘　　要：　要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸。阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析。In order to put Ge/Si quantum dot grown in SK(Stranski-Krastanov) mode into use, two problems must be solved, i.e., the position of any dot can be precisely controlled and the size of dot must be reduced. Research progress on these two problems are reviewed with focus on the growth of Ge quantum dot on patterned substrate, ordering growth of Ge island on vicinal substrate by Si surface self-organization and growth of the island induced by impurity on the substrate's surface.

关 键 词：锗硅 量子点 图形衬底 邻晶面 杂质 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]