A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications  

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT(英文)

作　　者：薛春来[1] 时文华[1] 姚飞[1] 成步文[1] 王红杰[1] 余金中[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第4期496-499,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010);国家基础研究重大项目(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目~~

摘　　要：A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device （with an emitter area of about 880μm^2） was fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum DC current gain β is 214. The BVCEO is up to 10V,and the BVCBO is up to 16V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and collector thickness of 400nm. The device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 19. 3GHz and a cut-off frequency fT of 18.0GHz at a DC bias point of Ic = 30mA and VCE = 3V.MSG （maximum stable gain） is 24.5dB,and U （Mason unilateral gain） is 26.6dB at 1GHz. Due to the novel distribution layout, no notable current gain fall-off or thermal effects are observed in the I-V characteristics at high collector current.采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.

关 键 词：SiGe HBT power double-mesa technology multi-finger 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统] TN322.8