硅基近红外探测器研究进展  

Progress on Si-based Near-infrared Light Detectors

作　　者：时文华[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》2005年第6期471-475,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60336010);国家重大基础研究规划项目(TG200036603);国家自然科学基金重大基础研究计划项目(90104003)

摘　　要：介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展,分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构,并对其发展与应用进行了展望。The latest progresses about Si-based near-infrared light detectors are presented. Material used as the absorption layer and the structure of detectors are discussed. Their development and applications are also prospected.

关 键 词：硅基 探测器 近红外 键合 锗硅 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]