DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure  

DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)

作　　者：时文华[1] 薛春来[1] 罗丽萍[1] 王启明[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第2期145-148,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603);国家自然科学基金(批准号:60336010,90104003,90401001)资助项目~~

摘　　要：A Ge/Si（001） island multilayer structure is investigated by double crystal X-ray diffraction, transmission electron microscopy,and atomic force microscopy. We fit the satellite peaks in the rocking curve by two Lorentz lineshapes, which originate from the wetting layer region and the island region. Then from the ratio of the thick- nesses of the Si and Ge （GeSi） layers as determined by TEM,tbe Ge compositions of the wetting layer and islands are estimated to be about 0. 51 and 0. 67, respectively,according to the positions of the fitted peaks. This proves to be a relatively simple way to investigate the Ge/Si （001） island multilayer structure.结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区.利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比,估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0·51和0·67.这是一种简单估算Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法.

关 键 词：SI Ge nano-dot ISLAND X-RAY 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]