偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性  

Study on In-Plane Optical Anisotropy of Semiconductor Materials by Reflectance Difference Spectroscopy

作　　者：赵雷[1] 陈涌海[2] 左玉华[1] 王海宁[3] 时文华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [3]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080

出　　处：《光谱学与光谱分析》2006年第7期1185-1189,共5页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金(60336010;60390074;90401001);中国科学院专项计划项目(1731000500010)资助

摘　　要：介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。In the present review, the measuring principle of reflectance difference spectroscopy （RDS） is given. As a powerful tool in the surface and interface analysis technologies, the application of RDS to the research on semiconductor materials is summarized along with the origins of the in-plane optical anisotropy of semiconductors. And it is believed that RDS will play an important role in the electrooptic modification of Si-based semiconductor materials.

关 键 词：偏振差分反射光谱 半导体 平面内光学各向异性 电光改性 

分 类 号：O433[机械工程—光学工程] TN301.1[理学—光学]