透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应  

Structure and Seebeck Effect for Transparent and Conductive CdIn2O4 Thin Film

作　　者：杨丰帆[1,2] 方亮[1] 李丽[1] 付光宗[1] 张勇[1] 李明伟[3] 喻江涛[3] 

机构地区：[1]重庆大学应用物理系,重庆400044 [2]中国兵器工业集团第五十三研究所,济南250031 [3]重庆大学动力工程学院,重庆400044

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期67-75,共9页半导体学报（英文版）

基　　金：重庆市科技攻关重大项目(批准号;CSTC2005AA4006-A6),教育部新世纪优秀人才计划(批准号：NCET-05-0764)和国防预研项目(批准号:40401030202)资助项目

摘　　要：在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.

关 键 词：透明导电CdIn2O4薄膜 结构 SEEBECK效应 温差电动势率 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]