立方相ZnMgO的电学特性  

Electrical Characteristics of Cubic ZnMgO

作　　者：金国芬[1] 吴惠桢[1,2] 梁军[2] 劳燕锋[2] 余萍[1] 徐天宁[1] 

机构地区：[1]浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州310027 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期167-170,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号;60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目

摘　　要：在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.

关 键 词：C-ZnMgO薄膜 MIS结构 介电常数 漏电性能 

分 类 号：TN304.2+1[电子电信—物理电子学]