MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层  

High Resistivity Step-Graded InAlAs/GaAs Metamorphic Buffer Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy in Low Temperature

作　　者：高宏玲[1] 王宝强[1] 朱战平[1] 李成基[1] 段瑞飞[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期200-203,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

关 键 词：MBE 低温缓冲层 MM-HEMT Hall测试 

分 类 号：O782[理学—晶体学]