高宏玲

作品数：7被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：二维电子气IN0INALASGAAS磁输运更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应
《物理学报》2008年第8期5232-5236,共5页商丽燕 林铁 周文政 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 俞国林 褚君浩 
国家自然科学基金(批准号:60221502);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB924901)资助的课题~~
在低温强磁场条件下,对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个...
关键词：二维电子气 正磁电阻 子带散射 
两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律被引量：1
《物理学报》2008年第6期3818-3822,共5页商丽燕 林铁 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩 
国家自然科学基金(批准号:60221502)资助的课题~~
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整...
关键词：In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱 填充因子 磁输运 
In0．53 Ga0．47As／In0．52Al0．48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
《物理学报》2008年第4期2481-2485,共5页商丽燕 林铁 周文政 黄志明 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 郭少令 褚君浩 
国家自然科学基金(批准号:60221502)资助的课题~~
研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的...
关键词：二维电子气 散射时间 自洽计算 
InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究
《物理学报》2007年第7期4099-4104,共6页周文政 林铁 商丽燕 黄志明 崔利杰 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 桂永胜 褚君浩 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题.~~
研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非...
关键词：In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/lAl0.52Al0.48As 反弱局域 SdH振荡 二维电子气 
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究被引量：1
《物理学报》2007年第7期4143-4147,共5页周文政 林铁 商丽燕 黄志明 朱博 崔利杰 高宏玲 李东临 郭少令 桂永胜 褚君浩 
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506);国家自然科学基金(批准号:60221502;10374094)资助的课题.~~
研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对...
关键词：SdH振荡 二维电子气 FFT分析 自洽计算 
不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究被引量：1
《物理学报》2007年第8期4955-4959,共5页高宏玲 李东临 周文政 商丽燕 王宝强 朱战平 曾一平 
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率...
关键词：量子阱宽 二维电子气 Shubnikov-de Haas振荡 高电子迁移率晶体管 
MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期200-203,共4页高宏玲 王宝强 朱战平 李成基 段瑞飞 曾一平 
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2....
关键词：MBE 低温缓冲层 MM-HEMT Hall测试 
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