In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散  

Formation and Diffusion of Ordered Quantum Clusters on (001)GaAs Substrate Induced by Masked Ion Implantation

作　　者：周慧英[1] 曲胜春[1] 刘俊朋[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期208-210,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60390071,60390074,90301007,60276014,90201033,60306010,60476002,60576062)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311905)资助项目

摘　　要：离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.

关 键 词：离子注入 铟离子 各向异性 扩散 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]