利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3μm光致发光  

1.3μm Photoluminescence from Multi-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Structure

作　　者：刘宁[1] 金鹏[1] 吴巨[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期215-217,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604904,2002CB311905)和国家自然科学基金(批准号: 60306010,60390071,60390074,90301007,90201033)资助项目

摘　　要：在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的发光峰位红移180nm,实现了1.3μm发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料发光的显著红移是由于量子点层间应力耦合导致的上层量子点体积增大以及各量子点层间的能态耦合.

关 键 词：量子点 分子束外延 垂直堆垛 长波长发光 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]