PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜  

Fabrication of Sb-Doped p-Type ZnO Thin Films by PLD

作　　者：潘新花[1] 叶志镇[1] 朱丽萍[1] 顾修全[1] 何海平[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期279-281,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50532060,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目

摘　　要：采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ω·cm,迁移率为1.23cm2/(V·s),空穴浓度为2.30×1018cm-3.

关 键 词：脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]