脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性  

Preparation and Characterization of p-Type ZnO Using Li-N Dual-Acceptor Doping Method by Pulsed Laser Deposition

作　　者：张银珠[1] 叶志镇[1] 吕建国[1] 何海平[1] 顾修全[1] 赵炳辉[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期322-325,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060,50572095)

摘　　要：采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.

关 键 词：Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积 

分 类 号：TN304.2+1[电子电信—物理电子学]