电子辐照氟化钡晶体位移损伤的计算  

作　　者：杨菁菁[1] 张晋[2] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学理学院 [2]云南大学物理系

出　　处：《广西物理》2009年第3期35-37,共3页Guangxi Physics

摘　　要：概述电子辐照对氟化钡晶体位移损伤的机理,讨论电子对氟化钡晶体位移损伤的理论计算方法。具体计算出能量为1.5MeV和1.8MeV电子辐照氟化钡晶体的位移损伤,对计算结果进行讨论,并与实验得到的吸收谱进行比较,理论计算结果与实验结果符合得很好。

关 键 词：氟化钡晶体 电子辐照 位移损伤 

分 类 号：O481.4[理学—固体物理]