氟化钡晶体

作品数：30被引量：44H指数：4
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氟化钡晶体超精密切削材料去除机理研究
《工具技术》2022年第1期73-77,共5页康杰 王元康 张万清 杨伟声 魏齐 邹俊东 刘亚飞 
氟化钡晶体在红外成像与激光系统有着广泛而重要的应用,作为典型的萤石型离子晶体,其材料去除机理目前尚不清晰,获得超光滑表面仍极具挑战。本研究采用槽切法研究氟化钡晶体脆塑转变临界深度、脆塑转变机制及表面缺陷形成机理。通过分...
关键词：氟化钡晶体 脆塑转变 最大未变形切屑厚度 切削参数 塑性域切削 
电注入着色氟化钡晶体F色心的扩散激活能
《人工晶体学报》2014年第4期801-805,共5页王娜 顾洪恩 
国家自然科学基金(11304220)
在8组不同的温度和电压条件下,用自行设计的电注入实验装置对氟化钡晶体进行点阴极电注入着色。测试和分析了电注入着色前后氟化钡晶体的吸收光谱。研究结果表明:电注入着色后氟化钡晶体中产生了大量F色心。电注入过程中,F色心首先在阴...
关键词：氟化钡 电注入 F色心 扩散激活能 
氟化钡晶体真空紫外透过率温度特性研究被引量：5
《光谱学与光谱分析》2014年第3期713-716,共4页彭如意 付利平 陶冶 
国家自然科学基金项目(40874099;41005013)资助
真空紫外波段存在几个可用于研究电离层物理现象的重要光谱,其中135.6nm的夜气辉是重要的探测谱段,通过对该波段辐射强度的探测可反演出电离层电子密度(TEC)及F2层峰值电子密度。夜气辉发射线中,130.4nm的发射线与135.6nm光谱间隔很近,...
关键词：真空紫外 氟化钡晶体 温度 透过率 
基于反射滤光方法的氟化钡快响应γ射线探测技术被引量：4
《现代应用物理》2013年第3期225-231,共7页张子川 韩和同 管兴胤 刘君红 张侃 赵晓川 翁秀峰 
测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上。基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线...
关键词：氟化钡晶体(BaF2) 反射滤光 脉冲辐射测量 时间响应 
氟化钡晶体点阳极电注入着色光谱特性被引量：1
《硅酸盐学报》2012年第12期1792-1795,共4页王娜 顾洪恩 
利用自行研制的电注入实验装置,在不同温度和电压条件下,对氟化钡(BaF2)晶体进行点阳极电注入着色。测定了点阳极电注入着色时的电流随时间的变化关系;测量和分析了着色BaF2晶体室温下的吸收光谱。结果表明:着色BaF2晶体中产生大量F色...
关键词：氟化钡晶体 电注入 色心 
大尺寸氟化钡晶体的生长被引量：4
《人工晶体学报》2012年第1期262-263,共2页甄西合 任绍霞 刘建强 史达威 张钦辉 葛云程 
国防科工委民口配套项目(MKPT-05-109)
通过软件模拟设计合理的炉体温场结构,并对晶体原料的提纯及生长工艺条件进行优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出了大尺寸、高质量的氟化钡晶体。晶体的透过率在0.2～10μm波长范围内高于85%,最高透过率约为94%。
关键词：氟化钡晶体 坩埚下降法 透过率 
氟化钡晶体开裂现象分析及解决办法研究
《商情》2011年第13期109-109,共1页李红 
研究氟化钡晶体炸裂现象的机理和相应的防止炸裂方法是非常有必要的课题，也是亟待解决的问题。
关键词：氟化钡晶体 开裂现象 
氟化钡晶体电注入着色(英文)被引量：1
《人工晶体学报》2010年第3期793-796,共4页王娜 顾洪恩 郭美丽 
Project supported by National Natural Science Funds(No.69178028, No.69918016)
在不同的温度,电压和时间条件下,经点阴极电注入,有效地使氟化钡晶体着色。在室温下,分别对着色前后的晶体进行系统光谱测量。在着色前的氟化钡晶体中未观测到明显的吸收峰。在着色后的氟化钡晶体中,观测到大量的F和FA色心以及一些未知...
关键词：氟化钡晶体 电注入 色心 
掺铋BaF_2晶体的制备及其近红外发光研究被引量：4
《物理学报》2010年第4期2827-2830,共4页周朋 苏良碧 李红军 喻军 郑丽和 杨秋红 徐军 
国家自然科学基金(批准号:60778036);上海市科技委员会自然科学基金(批准号:08ZR1421700)资助的课题~~
通过温度梯度法制备了Bi2O3:BaF2以及BiF3:BaF2晶体.在Bi2O3:BaF2晶体中观察到了发光峰位于961nm,半高宽202nm的超宽带红外发光.在BiF3:BaF2晶体中检测到Bi2+和Bi3+可见区的发光,但是没有观察到红外发光.通过γ射线辐照实现了BiF3:BaF2...
关键词：近红外发光 铋 氟化钡晶体 Γ辐照 
电子辐照氟化钡晶体位移损伤的计算
《广西物理》2009年第3期35-37,共3页杨菁菁 张晋 
概述电子辐照对氟化钡晶体位移损伤的机理,讨论电子对氟化钡晶体位移损伤的理论计算方法。具体计算出能量为1.5MeV和1.8MeV电子辐照氟化钡晶体的位移损伤,对计算结果进行讨论,并与实验得到的吸收谱进行比较,理论计算结果与实验结果符合...
关键词：氟化钡晶体 电子辐照 位移损伤 
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