AlN/GaN量子阱中光学声子所限制的电子迁移率  

Electron Mobility in AlN/GaN Quantum Wells Limited by Optical Phonon

作　　者：贾秀敏[1] 班士良[2] 

机构地区：[1]内蒙古科技大学数理与生物工程学院,内蒙古包头014010 [2]内蒙古大学理工学院,呼和浩特010021

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2011年第3期64-67,71,共5页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金理论物理专项(11047103);内蒙古科技大学创新基金(2009NC071)

摘　　要：在介电连续模型和单轴模型的框架下,采用雷-丁平衡方程理论,考虑量子阱中界面光学声子模和局域体光学声子模的影响,分别计算了纤锌矿型和闪锌矿型AlN/GaN量子阱中电子平行于异质结界面方向的迁移率,给出迁移率随阱宽的变化关系,并讨论了结构各向异性效应对电子迁移率的影响.Based on the dielectric continuum phonon model,uniaxial model and force balance equation,the electronic mobility parallel to the interfaces of wurtzite and zincblende AlN/GaN quantum-wells(QWs) is discussed in consideration of the scattering from the confined and interface optical phonon modes.The dependence of the mobility on the well width is presented.In addition,the influence of structure anisotropy effec on electron mobility is discussed.

关 键 词：迁移率 光学声子模 量子阱 纤锌矿 闪锌矿 AlN/GaN 

分 类 号：N55[自然科学总论] G658.3[文化科学—教育学]