一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法  

作　　者：曹杰杰[1] 李斌[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海天文台 [2]中国科学院研究生院

出　　处：《中国科学院上海天文台年刊》2012年第1期66-73,共8页Annals Shanghai Astronomical Observatory Chinese Academy of Sciences

基　　金：国家自然科学基金(10903024,11078003);中国科学院科学事业单位修缮购置专项基金(173018);国家高技术研究发展计划(863计划,2012AA121603)

摘　　要：赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。

关 键 词：小信号等效电路模型 pHEMT建模 参数提取 S参数 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]