小信号等效电路模型

作品数:18被引量:25H指数:3
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相关机构:东南大学华东师范大学爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司西南科技大学更多>>
相关期刊:《半导体技术》《光子学报》《电气应用》《南通大学学报(自然科学版)》更多>>
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GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
《传感器与微系统》2022年第8期64-67,共4页王旭 王军 
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种...
关键词:GAN高电子迁移率晶体管 小信号等效电路 参数提取 ADS2014仿真 
基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模被引量:1
《固体电子学研究与进展》2019年第4期250-253,263,共5页曾洪波 王军 
由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有...
关键词:硅锗异质结双极型晶体管 小信号等效电路模型 噪声建模 噪声矩阵变换 
45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术被引量:4
《强激光与粒子束》2019年第2期67-74,共8页李博 王军 
国家自然科学基金项目(699010003);四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)
为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型...
关键词:纳米MOSFET 小信号等效电路 参数提取 毫米波 双端口网络 散射参数 
单载流子传输光敏晶体管小信号等效电路模型的建立与分析被引量:1
《光子学报》2017年第11期49-55,共7页孙丹 谢红云 刘芮 刘硕 吴佳辉 张万荣 
国家自然科学基金(Nos.61604106;61574010;61006044;61774012);北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金(No.KYJJ2016008);北京市自然科学基金(Nos.4122014;4142007);山东省自然科学基金(No.ZR2014FL025)资助~~
建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作为基极电流的一部分,引入到小信号等效电路中.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管中单载流子传输的输...
关键词:小信号等效电路模型 单载流子传输 光敏晶体管 光特征频率 光短路电流增益 
太赫兹平面肖特基二极管参数模型被引量:6
《红外与激光工程》2016年第12期151-156,共6页赵向阳 王俊龙 邢东 杨大宝 张立森 梁士雄 冯志红 
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频...
关键词:太赫兹 肖特基二极管 小信号等效电路模型 在片测试结构 
基于微波S参数测试的PIN光探测器小信号等效电路模型的参数提取被引量:1
《南通大学学报(自然科学版)》2016年第3期1-5,共5页徐智霞 于盼盼 高建军 
国家自然科学基金项目(61474044)
介绍了PIN光探测器的测试系统,具体说明了测试系统中各个组成部分的功能.利用该系统对PIN光探测器的S参数进行了测试,并结合分析法和优化法,在ADS软件中对PIN光探测器的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式及不同偏置电...
关键词:微波 PIN光探测器 小信号模型 半分析法 参数提取 
高速光接收组件同轴结构封装关键技术研究
《半导体技术》2013年第5期383-387,共5页黄长统 柴广跃 彭文达 郑启飞 
在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电...
关键词:同轴结构封装 10Gb s光接收组件 寄生参数 小信号等效电路模型 高频特性 
一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法被引量:1
《中国科学院上海天文台年刊》2012年第1期66-73,共8页曹杰杰 李斌 
国家自然科学基金(10903024,11078003);中国科学院科学事业单位修缮购置专项基金(173018);国家高技术研究发展计划(863计划,2012AA121603)
赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEM...
关键词:小信号等效电路模型 pHEMT建模 参数提取 S参数 
垂直腔表面发射激光器的小信号等效电路模型的研究被引量:2
《电子器件》2011年第2期190-193,共4页欧阳丽 高建军 
结合分析法和优化法,在ADS软件中对垂直腔体表面发射激光器(VCSEL)的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式、参数提取数值及不同偏置电流下模拟结果和测量结果之间的误差,可以清楚的看出,这种提取参数的方法是十分高效的...
关键词:垂直腔体表面发射激光器 等效电路模型 参数提取 偏置电流 
用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型
《微纳电子技术》2007年第3期120-124,共5页朱磊 尤焕成 金香菊 
基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5~15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等...
关键词:GAN HEMT 小信号等效电路模型 模拟退火算法 参数提取 MATLAB 
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